Kituo cha Bidhaa za Sensor ya Ndani ya Haiwang

Uko hapa: Nyumbani » Bidhaa » Mfululizo wa Sensor ya PIR » Sensorer ya PIR » Sensorer ya Infrared ya Pyroelectric PIR203S

Sensorer ya Infrared ya Pyroelectric PIR203S

Upatikanaji:

Kiasi:



Uliza Ongeza kwenye Kikapu

Maelezo ya Bidhaa

Sensor ya pyroelectric passiv ya infrared

1. SIFA:

Usikivu wa juu na SNR ya juu (uwiano wa ishara kwa kelele);

Utulivu wa juu kwa mabadiliko ya joto;

Uwezo wa juu wa kupinga kuingiliwa (Kwa mfano: vibration, kuingiliwa kwa mzunguko wa redio).

2. MAOMBI

Usalama

Mwangaza

Familia na nyanja zingine

3. UPEO WA MAOMBI

Vipimo hivi vinaelezea kihisia cha pyroelectric passive infrared kwa kifaa cha kihisi cha infrared.

4. AINA YA SENSOR

Aina ya utofautishaji iliyosawazishwa (Aina inayopinga mfululizo.)

5. RUFAA NA VIPIMO

5.1 UKAGUZI WA MAONI

Hakuna majeraha ya ajabu, matangazo, kutu na nk.

5.2 RUFAA NA VIPIMO

Kifurushi cha TO-5: tazama tini 1.

6. TABIA ZA UMEME( AT 25℃ )

KITU

HALI

RATING

6.1 Pato la Mawimbi

Joto la mwili mweusi: 420K

Masafa ya Kukata: 1HZ, 0.3～ 3.5HZ f

Vd=5V,Rs=47KΩ, amplifier ya Gain 72.5dB

Njia ya kipimo iliyoonyeshwa kwenye Mchoro 2.

>3000mVp-p

6.2 Pato la Kelele

Masafa ya Kukata: 1HZ, 0.3～ 3.5HZ f

Vd=5V,Rs=47KΩ, amplifier ya Gain 72.5dB

Njia ya kipimo iliyoonyeshwa kwenye Mchoro 2.

chini ya 70mVp-p

6.3 Pato la usawa

Joto la mwili mweusi: 420K

Masafa ya Kukata: 1HZ, 0.3～ 3.5HZ f

Vd=5V,Rs=47KΩ, amplifier ya Gain 72.5dB

Mbinu ya kipimo inavyoonyeshwa kwenye Mchoro 2 na Mtini 3.

VA = Unyeti wa Kipengele (Vp-p)

VB = Unyeti wa kipengele B (Vp-p)

|VA-VB|/(VA+VB)

×100%≤10%

6.4 Voltage ya Uendeshaji

Ugavi wa umeme mmoja RS=47KΩ

2～15V

6.5 Chanzo cha Voltage

VD=5V,RS=47KΩ

0.4 ~1.0V

6.6 Usanidi wa Mzunguko

Tazama Mtini.3

6.7 Muda wa Kupasha joto

Baada ya kuunganishwa, ni pamoja na amplifier ya kipimo kwa maelezo ya Mtini.3 ambayo inawasha usambazaji wa umeme kabla, pato la ukuzaji ni wakati hadi utulivu.

Upeo: 25 Sek

7. TABIA ZA MACHO

KITU	RATING
7.1 Sehemu ya Maoni	Digrii 113 kutoka katikati ya Kipengele kwenye Mhimili X.
	Digrii 90 kutoka katikati ya Kipengele kwenye Mhimili Y.
	Tazama Mchoro wa 5
7.2Bendi ya urefu wa mawimbi ya majibu	Kichujio substrate:Silicon Punguza kwa urefu wa mawimbi:5.5±0.5μm Usambazaji:7～14μm ≥75%
7.3 Tabia za Usambazaji wa chujio	Tazama Mchoro wa 6

8. MAHITAJI YA MAZINGIRA

KITU	RATING
8.1 Halijoto ya Uendeshaji	-30℃ 70 ℃
8.2 Halijoto ya Uhifadhi	－40⽞80 º℃
8.3 Unyevu wa Kiasi	Kihisi kitafanya kazi bila kuongezeka kwa Kelele inapowekwa kwenye 90 hadi 95% RH kwa 30 ℃. mfululizo
8.4 Muhuri wa Hermetic	Hakuna viputo vinavyoonekana katika fluorocarbon ya 125±5℃ bath(FC-40) kwa 20sec
8.5 Mtihani wa Kuegemea	Imebainishwa katika Kiambatisho 1 (ukurasa 13 ~ 14)

9. UFUATILIAJI WA ROHS

Bidhaa hii inalingana na udhibiti wa RoHS.

10. UKAGUZI

10.1 Ukaguzi wa mchakato

Ukaguzi wa 100%: Kipengee 6.1 hadi 6.3 na 6.5 kati ya maonyesho ya umeme ya kipengele cha 6.

10.2 UKAGUZI UNAOTOKA

Kulingana na mbinu ya ukaguzi wa sampuli za takwimu, kila sehemu ya utengenezaji hukaguliwa kwa sifa za kipengee cha 6.1 hadi 6.3 ,6.5 cha Kipengee cha 6, na kipengee 5.1 na 5.3 cha mwonekano wa kipengee cha 5.

11. KUFUNGA

Ufungaji ni thabiti na haujavunjika

12. MCHAKATO ATFAILURE

Katika kesi ya kupatikana kwa kushindwa zinazoingia au ukaguzi wa mchakato baada ya kupokea bidhaa, pande zote mbili hujadiliana ili kukabiliana na kushindwa.

13. UWANJA WA UZALISHAJI

China

14. MARUDIO

Marekebisho yoyote ya maelezo haya yanapaswa kufanywa kwa maandishi kwa majadiliano.

F IG.1 Chati ya vipimo

Mbinu ya kipimo cha sensor ya pyroelectric Passive Infrared

HALI YA MTIHANI

¨ Joto la mazingira: 25ºC

B ukosefu wa joto la mwili: 420K

Masafa ya Kukata: 1HZ, 0.3～ 3.5HZ △f

amplifier ya Gain 72.5dB

F IG.2 NJIA YA KIPIMO CHA SENSOR ILIYOPIGWA NA IFROELECTRIC PASSIVE

NJIA YA KUPIMA MIZANI

F IG.3 NJIA YA KUPIMA MIZANI

Uwiano wa unyeti wa kihisi cha Pyroelectric Passive Infrared hupimwa kwa kupima unyeti wa kitengo kimoja, na kutumia mlingano ufuatao.

Salio = |VA-VB|/(VA+VB) ×100%

VA = Unyeti wa Kipengele (Vp-p)

VB = Unyeti wa kipengele B (Vp-p)

JARIBU Usanidi wa MZUNGUKO

F IG.4 JARIBU UTENGENEZAJI WA MZUNGUKO

UWANJA WA MAONI

SIFA ZA KAWAIDA ZA USAMBAZAJI WA KICHUJI

FIG.6 TABIA ZA KAWAIDA ZA USAMBAZAJI WA KICHUJI

《 Kiambatisho 》 KITU 1 CHA KUJARIBU UTAYARIBIFU

shaka inapotokea katika vipengee vifuatavyo vya majaribio, au wakati vipengele vimebadilishwa, majaribio haya hufanywa tena baada ya kushauriana na majadiliano.

KITU	HALI YA MTIHANI	MATOKEO
	Joto: 85 ℃	Baada ya kukamilika kwa majaribio, jaribu tena kitambuzi kwa kuhamahama katika halijoto ya kawaida kwa 3Hr 1. ukaguzi wa kuona: HAKUNA uharibifu wa ajabu 2.Unyeti : ± 20% ya thamani ya awali 3. Kelele: ＋100mV ya thamani ya awali
Uhifadhi wa joto la juu	Wakati: 500 Hr
	Joto: -30 ℃
Uhifadhi wa joto la chini	Wakati: 500 Hr
	Joto: 60 ℃
Joto la Juu &	unyevu: 90%
Uhifadhi wa unyevu	Wakati: 500 Hr
	Joto: 60 ℃
	unyevu: 90%
Upendeleo wa unyevu wa joto	Wakati: 48 Hr
	Voltage: 5.0VDC
Mshtuko wa joto	-40 ℃, 30min-->25 ℃, 30min
	-->85 ℃,30min* mizunguko 10
Mtetemo	Masafa :10~55HZ Jumla ya amplitude :1.5mm Muda wa Mtetemo:60min kila mhimili wa Z,Y,Z
ESD	Hali:C=200pf，R=0 ohm V=200V
	Hali:C=200pf，R=0 ohm V=200V
Kushuka kwa asili	urefu: 750 mm
	Mara za kushuka: 3 次 mara 3
Nguvu ya kuvuta terminal	Nguvu ya kuvuta: 19.5N
	Muda wa Kushikilia: 5sec
Kuuza	joto la solder: 245 ℃ aina ya solder: Sn-Cu wakati wa kulowekwa: 3sec
	joto la tank solder:260±5℃
Solder isiyo na joto	wakati wa kuloweka:10 ± 1sec Kuchovya kunaongoza kuzamisha ndani
	solder chini ya 3mm chini ya shina