φ12mmメタルケースLDR CDSライトセンサーフォトレジスタ光感受性抵抗MJ12510 MJ12515 MJ12525 MJ12558

製品の概要

（1）使用法：光電制御の原理によれば、外部光の変化を伴う製品の作業状況を自動的に制御します。

（2）パフォーマンス：A。エポキシ樹脂; B.高速反応速度。

C.高感度; D.少量;

E.良好な信頼性。 F.良いスペクトル特性。

（3）主な材料組成：CDS CDSE、エポキシ樹脂、セラミック基質、缶詰銅線。

アプリケーションスコープ

カメラ、自動計量、光電制御、屋内光制御、

アラーム産業制御、光制御スイッチ、ライトコントロールランプ、電子玩具。

構造寸法図（ユニット：mm）

仕様とモデル

照明特性図

主な特徴的な曲率

テスト手順

発光抵抗テスト

• Photoresistorは400-600Luxライトに2時間曝露し、その後、標準の光源Aから10Luxライトの下で抵抗測定が続きます。

暗い抵抗評価

• 抵抗値は、10Lux光源をオフにしてから10秒後に測定されます。

抵抗値評価

• Y値は、10Luxおよび100Lux照明の下での標準抵抗を表し、R10とR100は10Luxおよび100Lux照明の下で抵抗値を示します。

ワイヤー曲げおよび振動抵抗

• ワイヤーは破損せずに曲がる必要があり、フォトレジスタはダメージなしで2時間振動に耐える必要があります。

電圧に耐えると温度抵抗

• 暗い状態のフォトレジスタの両端に200V DC電圧が適用され、特定の条件下で水分と高温に対する耐性が評価されます。

耐衝撃性テスト

• 耐性の変化は、さまざまな温度にさらされた後に監視され、耐抵抗性を評価します。

パッケージングと予防策

パッケージングオプション

• Photoresistorは、100個または200個の小さな袋、1000個または2000個の小さな箱、サイズの要件に応じて10000個の箱で入手できます。

ストレージの推奨事項

• 製品の完全性を維持するために、湿ったまたは高温環境にフォトレジスタを保管することを避けることをお勧めします。

溶接ガイドライン

• ピン溶接は、セラミックベースから4mm以上の距離で3秒以内に完了する必要があり、溶接温度は260°C〜280°Cです。溶接中および溶接後のピンの外力を最小限に抑える必要があり、繰り返し溶接が阻止されます。