φ4mm LDR CDS အလင်းအာရုံခံ Photoresistor ဓါတ်ပြုခံနိုင်ရည် MJ4516 MJ4517 MJ4528 MJ4537 MJ4539 MJ4549

ထုတ်ကုန်ခြုံငုံသုံးသပ်ချက်

(1) အသုံးပြုမှု- photoelectric ထိန်းချုပ်မှု နိယာမအရ၊ ၎င်းသည် ပြင်ပအလင်းရောင် ပြောင်းလဲမှုနှင့်အတူ ထုတ်ကုန်၏ လုပ်ငန်းခွင်အခြေအနေကို အလိုအလျောက် ထိန်းချုပ်ပေးပါသည်။

(2) စွမ်းဆောင်ရည်- A. Epoxy resin; B. လျင်မြန်သောတုံ့ပြန်မှုမြန်နှုန်း;

C. မြင့်မားသော အာရုံခံနိုင်စွမ်း; D. သေးငယ်သောအသံအတိုးအကျယ်;

E. ကောင်းသောယုံကြည်စိတ်ချရမှု; F. ကောင်းသောရောင်စဉ်တန်းလက္ခဏာများ။

(၃) ပင်မပစ္စည်းဖွဲ့စည်းမှု- CdS CdSe၊ epoxy resin၊ ကြွေလွှာ၊ သံဖြူးထားသော ကြေးနီဝါယာကြိုး။

လျှောက်လွှာနယ်ပယ်

ကင်မရာ၊ အလိုအလျောက်တိုင်းတာခြင်း၊ ဓာတ်ပုံလျှပ်စစ်ထိန်းချုပ်မှု၊ အိမ်တွင်းအလင်းထိန်းချုပ်မှု၊

နှိုးစက်စက်မှုထိန်းချုပ်မှု၊ အလင်းထိန်းချုပ်ခလုတ်၊ အလင်းထိန်းချုပ်ရေးမီးအိမ်၊ အီလက်ထရွန်းနစ်အရုပ်။

ဖွဲ့စည်းပုံ အတိုင်းအတာ ပုံကြမ်း (ယူနစ်: mm)

သတ်မှတ်ချက်များနှင့် မော်ဒယ်များ

အလင်းရောင်လက္ခဏာပြပုံ

အဓိက အသွင်အပြင်

စမ်းသပ်မှုအခြေအနေများ

(1) Light Sensitivity- photoresistor ကို 400-600Lux light တွင် 2 နာရီကြာ ထားရှိပြီး 10Lux light အောက်ရှိ စံအလင်းအရင်းအမြစ် A (အရောင်အပူချိန် 2856K) မှ ၎င်း၏ ခံနိုင်ရည်အား တိုင်းတာပါ။

(2) Dark Sensitivity- 10Lux အလင်းကိုပိတ်ပြီးနောက် 10 စက္ကန့်ကြာ photoresistor ၏ ခံနိုင်ရည်တန်ဖိုးကို တိုင်းပါ။

(၃) ခုခံမှုတန်ဖိုးများ- Y တန်ဖိုးသည် 10Lux နှင့် 100Lux အလင်းရောင်အောက်တွင် စံခုခံမှုကို ကိုယ်စားပြုသည်။ R10 နှင့် R100 တို့သည် 10Lux နှင့် 100Lux အလင်းရောင်အောက်တွင် ခုခံမှုတန်ဖိုးများဖြစ်သည်။

(4) Flexibility Test - ကျိုးပဲ့ခြင်း သို့မဟုတ် ပျက်စီးခြင်းမဖြစ်စေဘဲ photoresistor ၏ဝိုင်ယာကို ကွေးပါ။

(၅) တုန်ခါမှုစမ်းသပ်ခြင်း- ပျက်စီးမှုလက္ခဏာမပြဘဲ photoresistor ကို နှစ်နာရီကြာ တုန်ခါမှုတွင် ထည့်သွင်းပါ။

(၆) ဗို့အားခံနိုင်ရည်- 200V DC ဗို့အားကို အမှောင်ထဲတွင် ပုံမှန်မဟုတ်သော အပြုအမူမရှိဘဲ အမှောင်တွင်ရှိသော photoresistor သို့ အသုံးချပါ။

(7) အစိုဓာတ်နှင့် အပူခံနိုင်ရည်- photoresistor ကို 75% စိုထိုင်းဆနှင့် 70 ℃ အပူချိန်တွင် စမ်းသပ်ပါ၊ ခုခံမှုပြောင်းလဲမှုသည် ±10% အတွင်းဖြစ်ကြောင်း သေချာစေသည်။ 75% စိုထိုင်းဆ နှင့် 80 ℃ အပူချိန်တွင် သိမ်းဆည်းသောအခါ ခံနိုင်ရည်ပြောင်းလဲမှုသည် ±10% အတွင်း ရှိသင့်သည်။

(8) သက်ရောက်မှုခံနိုင်ရည်- photoresistor ကို 80 ℃ ၊ ထို့နောက် 4 နာရီအကြာတွင် 25 ℃ နှင့် 2 နာရီအကြာတွင် -30 ℃ တွင်ထားပါ။ 4 နာရီအကြာတွင်၊ နေရာမချထားမီနှင့်အပြီးတွင် photoresistor ၏ခုခံမှုပြောင်းလဲမှုနှုန်းသည် ± 10% ထက်နည်းသည်။

ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် ကြိုတင်ကာကွယ်မှုများ

• Capacitors များကို 100 သို့မဟုတ် 200 အိတ်ငယ်များ၊ 1000 သို့မဟုတ် 2000 အပိုင်းအစရှိသော သေတ္တာငယ်များနှင့် အရွယ်အစားအမျိုးမျိုးနှင့် အသုံးပြုမှုလိုအပ်ချက်များကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေရန်အတွက် အရွယ်အစားနှင့် အသုံးပြုမှုလိုအပ်ချက်များကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေရန်အတွက် 10000 အပိုင်းပိုင်းရှိသော သေးငယ်သောသေတ္တာများနှင့် 10000 ကျပ်ပိုကြီးသောသေတ္တာများ။

• ပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်ရန် Photoresistors များကို စိုစွတ်သော သို့မဟုတ် အပူချိန်မြင့်သော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် မသိမ်းဆည်းသင့်ပါ။

• pin welding capacitors သည် ceramic base မှ ≥ 4mm အကွာအဝေးတွင် 3 စက္ကန့်အတွင်း လုပ်ငန်းစဉ်ကို အပြီးသတ်ရန် အကြံပြုထားသည်။ ဂဟေအပူချိန်ကို 260 ℃ -280 ℃ အကြား ထိန်းသိမ်းထားသင့်ပြီး သတ်မှတ်ထားသည့် အတိုင်းအတာထက် မကျော်လွန်သင့်ပါ။ ဂဟေဆော်နေစဉ် သို့မဟုတ် ပြီးနောက် ပင်တံများတွင် ပြင်ပအားများကို အသုံးချခြင်းမှ ရှောင်ကြဉ်ပြီး သင့်လျော်သော လုပ်ဆောင်နိုင်စွမ်းကို သေချာစေရန် ထပ်ခါတလဲလဲ ဂဟေဆော်ခြင်းမှ ရှောင်ကြဉ်ပါ။