1.最大評価（下の表のパラメーターを超える電気応力は、デバイスに永続的な損傷を引き起こす可能性があります。）
パラメーター | シンボル | 最小 | 最大 | ユニット | 注記 |
電圧 | voo | -0.3 | 3.6 | v | |
動作温度 | tst | -20 | 85 | ℃ | |
ピン制限 | の中へ | -100 | 100 | Ma | |
保管温度 | tst | -40 | 125 | ℃ |
2。労働条件（T = 25°C、V DD = 3V、特に指定がない限り）
パラメーター | シンボル | 最小 | 典型的な | 最大 | ユニット | 注記 |
電圧 | v dd | 2.7 | 3 | 3.3 | v | |
動作電流 | 私はddです | 12 | 15 | 20 | μa | |
感度のしきい値 | vsens | 120 | 530 | μV | ||
出力rel | ||||||
出力低周波数 | 笑 | 10 | Ma | V ol <1V | ||
出力高周波数 | lああ | -10 | Ma | V OH >（V DD -1V） | ||
REL低レベル出力ロック時間 | t ol | 2.3 | s | 調整できません | ||
Rel High出力ロック時間 | T OH | 2.3 | 4793 | s | ||
入力SENS/ONTIME | ||||||
電圧入力範囲 | 0 | v dd | v | 0Vから1/4VDDの調整範囲 | ||
入力バイアス電流 | -1 | 1 | μa | |||
OENを有効にします | ||||||
低電圧を入力します | v il | 0.2 V DD | v | OEN電圧は、しきい値レベルが高くなります | ||
高電圧を入力します | v ih | 0.4V DD | v | OEN電圧は低いものから高いしきい値レベル | ||
入力電流 | L i | -1 | 1 | μa | vss <vin <vdd | |
発振器とフィルター | ||||||
ローパスフィルターカットオフ周波数 | 7 | Hz | ||||
ハイパスフィルターカットオフ周波数 | 0.44 | Hz | ||||
チップ上の発振器周波数 | f clk | 64 | KHZ | |||
3。出力電圧波形
4.Outputトリガーモード
プローブによって受信されたpyro電気赤外線信号がプローブ内のトリガーしきい値を超えると、カウントパルスが内部で生成されます。プローブが再びそのような信号を受信すると、2番目のパルスを受信したと考えるでしょう。 4秒以内に2つのパルスを受信すると、プローブはアラーム信号を生成し、REL PINは高くトリガーされます。 。さらに、受信信号振幅がトリガーしきい値の5倍を超える限り、RELの出力をトリガーするために必要なパルスは1つだけです。以下の図は、トリガーロジック図の例を示しています。複数のトリガー状況では、出力RELの保持時間は最後の有効なパルスからカウントされます。
5。時間通りの延長時間
オンタイム端末に適用される電圧は、センサーがトリガーされた後に高レベルの出力信号を維持するためのRELの遅延時間を決定します。トリガー信号を受信するたびに、遅延時間が再起動されます。内部発振器周波数の分散により、遅延時間。特定のエラーマージンがあります。
6。感度設定
SENS入力の電圧は、PIRINおよびNPIRIN入力のPIR信号の強度を検出するために使用される感度のしきい値を設定します。接地が電圧の最小しきい値である場合、感度が最高です。 VDD/2の上の電圧は、PIR信号検出の最低敏感な設定である最大のしきい値を選択します。つまり、センシング距離は最小限になる場合があります。赤外線センサーセンシング距離はSENS入力電圧では線形ではなく、その距離はセンサー自体の信号対雑音比、フレネルレンズのイメージングオブジェクト距離、動いている人体の背景温度、周囲温度、環境湿度、および電気磁気干渉とは異なることを指摘する必要があります。このような要因は、複雑な多変量関係を形成します。つまり、出力は単一のインジケーターでは判断できません。実際には、デバッグの結果が変更される場合があります。 SENSピン電圧が小さいほど、感度が高くなるほど、センシング距離が遠くなります。 S918-Hの合計32センシング距離があり、最も近いセンシング距離はセンチメートルレベルに達する可能性があります。実際には、抵抗分割法を使用して調整感度を実現できます。
検出角
サイズ角度ビットマップ（mm）
アプリケーション回路
