S001F24A51
HW
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1.オーバービュー
s001f24a51統合されたpyroelectricフレームセンサーは、新しい環境に優しいリチウムを利用しています
タンタル(Litao₃)その検知要素のための単結晶材料。 4ピンのデジタルPIR火炎センサーです
これにより、デジタル信号コンディショニングチップ(IC)が電磁要素内のセンシング要素を統合します
シールドカバー。プローブは外部コントローラーと双方向に通信して、さまざまなものを構成します
運用状態。センシング要素は、検出された炎のフリッカー信号をデジタル信号に結合します
非常に高インピーダンスの差動入力回路を介してICを調整します。デジタルICチップは変換されます
14ビットADCを介してデジタル形式に信号を送り、後続の信号処理とロジックを促進します
Control.Detection感度(トリガーしきい値)、トリガーリセット後のブラインド時間、信号パルスカウントタイムウィンドウ、アルゴリズム、および3つの動作モードの選択などの構成は、外部コントローラー(µC)が内部通信インターフェイス(Serin)を介して内部レジスターを構成することができます。定期的な連続フレームセンシング中、µCはアクティブを維持する必要はありません(電源を節約するためにスタンバイモードに入ることができます)。デジタルプローブがFlame Flicker信号を検出した場合にのみ、事前に構成されたトリガー条件を満たしている場合には、内部コンディショニングICがINT/DOCIインターフェイスを介して割り込みウェイクアップコマンドをµCに送信し、µCに後続のコントロールアクションをアクティブにして実行するよう促します。構成された動作モードに応じて、µCは定期的にまたは強制的にドキュビポートを介してプローブからデジタル火炎信号値を読み取り、プログラムされたアルゴリスに基づいてフォローアップアクションを決定することもできます。
2.特徴
1.コントローラーへの双方向通信によるデジタル信号処理;
2.構成可能な検出トリガー条件と3つの異なる操作モードのサポート。オープンフレーム監視結果の結果出力とADCフィルタリングされた火炎信号データ出力;
3.赤外線センサー用の2次バターワースバンドパスフィルター、他の周波数からの入力干渉のシールド
4.赤外線信号調整回路は、電磁シールドカバー内に完全にカプセル化されており、電力とデジタルのインターフェイスピンのみが露出しており、無線周波数干渉に並外れた抵抗を提供します;
5.システムの運用メカニズムは、電力効率のために深く最適化されているため、バッテリー駆動のデバイスに適しています。
6.電源電圧とオンチップ温度検出;
7.パワーアップ中にセルフチェック後の迅速な安定化で操作
8.免除やROHS認定を必要とせずに、ROHS環境要件を厳密に遵守する環境に優しいLitao₃センシング材料を活用します。
3.アプリケーション
1.さまざまなオープンフレームモニター。
2。火災検出器。
3。炎のセンシング機器のインターネット。
4。家、産業工場、工場の火災警報器。
4。パフォーマンスパラメーター
4.1 最大評価
下の表のパラメーターを超える電気ストレスは、デバイスに永久的な損傷を引き起こす可能性があります。最大定格条件を超えた動作は、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。
パラメーター | シンボル | 分 | マックス。 | ユニット | |
供給電圧 | VDD | -0.3 | 3.6 | v | 25℃ |
ピン電圧 | vnto | -0.3 | VDD +0.3 | v | 25℃ |
ピン電流 | の中へ | -100 | 100 | Ma | シングルタイム、シングルピン |
保管温度 | tst | -30 | 70 | ℃ | <60%RH |
動作温度 | トーパー | -20 | 55 | ℃ |
4.2 電気的特性(典型的なテスト条件:TAMB =+25℃、VDD =+3V)
パラメーター | シンボル | 分 | 典型的な | マックス。 | ユニット | 注記 |
労働条件 | ||||||
動作電圧 | VDD | 1.5 | 3 | 3.6 | v | |
現在の動作、vreg | IDD1 | 5 | 6.0 | µA | この製品は適していません | |
動作電流、VREGオフ | idd | 3 | 3.5 | µA | この製品に適用できます VDD = 3V、負荷なし | |
入力パラメーターセリン | ||||||
低電圧を入力します | vil | -0.3 | 0.2vdd | v | ||
高電圧を入力します | VIH | 0.8VDD | 0.3 + VDD | v | 最大V <3.6V | |
入力電流 | ii | -1 | 1 | µA | VSS | |
デジタルクロック低レベルの時間 | TL | 200 | 0.1/ fclk | ns/µs | 典型:1-2µs | |
デジタルクロック高レベルの時間 | th | 200 | 0.1/ fclk | ns/µs | 典型:1-2µs | |
データビットライティング時間 | TBW | 2/fclk -th | 3/fclk-- th | µs | 典型:80-90µs | |
タイムアウトを書きます | TWA | 16/fclk | 17/fclk | µs | ||
出力ピンint/doci-out | ||||||
低電圧を入力します | vil | -0.3 | 0.2vdd | v | ||
高電圧を入力します | VIH | 0.8VDD | 0.3 + VDD | v | 最大V <3.6V | |
入力電流 | イディ | -1 | 1 | µA | VSS | |
データ読み取り可能なセットアップ時間 | TDS | 4/fclk | 5/fclk | µs | ||
データビットの準備時間 | TBS | 1 | µs | クロード<10pf | ||
沈降時間を読むことを強制します | TFR | 4/fclk | µs | |||
クリア時間を中断します | TCL | 4/fclk | µs | |||
デジタルクロック低レベルの時間 | TL | 200 | 0.1/ fclk | ns/µs | 典型:1-2µs | |
デジタルクロック高レベルの時間 | th | 200 | 0.1/ fclk | ns/µs | 典型:1-2µs | |
ビットデータ読み取り時間 | tbit | 24 | µs | 典型:20-22µs | ||
読み取りタイムアウト | トラ | 4/fclk | µs | |||
Dociプルダウン期間 | TDU | 32/fclk | µs | データの更新用 | ||
入力ピリン/npirin | ||||||
VSSからピリン/npirin 入力インピーダンス | 30 | 60 | gΩ | -60mv |
入力抵抗差の値 | 60 | 120 | gΩ | -60mv | ||
ピリン入力電圧範囲 | -53 | +53 | MV | |||
解像度/ステップサイズ | 6 | 6.5 | 7 | µV/count | ||
ADC出力範囲 | 511 | 2^14-511 | カウント | |||
ADCバイアス | 7150 | 8130 | 9150 | カウント | ||
ADC温度係数 | -600 | 600 | ppm/k | |||
ADC入力ノイズrms値f = 0.1Hz ... 10Hz | 39 | 91 | µVpp | F = 0.09 ... 7Hz | ||
電源電圧測定 | ||||||
ADC出力範囲 | 2^13 | 2^14-511 | カウント | |||
電圧解像度 | 590 | 650 | 720 | µV/count | ||
ADCバイアス @ 3V | 12600 | カウント | 約±10%オフセット |
温度測定(単一点キャリブレーションが必要) | |||||||
解決 | 80 | カウント/k | |||||
ADC出力範囲 | 511 | 2^14-511 | カウント | ||||
バイアス値 @ 298K | 8130 | カウント | 約±10%オフセット | ||||
発振器とフィルター | |||||||
ローパスフィルターカットオフ周波数 | fclk*1.41/2048/π | Hz | 2番目の注文bw | ||||
ハイパスフィルターカットオフ周波数 | fclk*p*1.41/32768/π | Hz | 2番目のbw p = 1または0.5 | ||||
オンチップオシレーター周波数 | fosci | 60 | 64 | 72 | KHZ | ||
システムクロック | fclk | fosci/2 | KHZ |