1.オーバービュー
s001f24a51統合されたpyroelectricフレームセンサーは、新しい環境に優しいリチウムを利用しています
タンタル（Litao₃）その検知要素のための単結晶材料。 4ピンのデジタルPIR火炎センサーです
これにより、デジタル信号コンディショニングチップ（IC）が電磁要素内のセンシング要素を統合します
シールドカバー。プローブは外部コントローラーと双方向に通信して、さまざまなものを構成します
運用状態。センシング要素は、検出された炎のフリッカー信号をデジタル信号に結合します
非常に高インピーダンスの差動入力回路を介してICを調整します。デジタルICチップは変換されます
14ビットADCを介してデジタル形式に信号を送り、後続の信号処理とロジックを促進します
Control.Detection感度（トリガーしきい値）、トリガーリセット後のブラインド時間、信号パルスカウントタイムウィンドウ、アルゴリズム、および3つの動作モードの選択などの構成は、外部コントローラー（µC）が内部通信インターフェイス（Serin）を介して内部レジスターを構成することができます。定期的な連続フレームセンシング中、µCはアクティブを維持する必要はありません（電源を節約するためにスタンバイモードに入ることができます）。デジタルプローブがFlame Flicker信号を検出した場合にのみ、事前に構成されたトリガー条件を満たしている場合、内部コンディショニングICはINT/DOCIインターフェイスを介して割り込みウェイクアップコマンドをµCに送信し、µCに後続のコントロールアクションをアクティブにして実行するよう促します。構成された動作モードに応じて、µCは定期的にまたは強制的にドキュビポートを介してプローブからデジタル火炎信号値を読み取り、プログラムされたアルゴリスに基づいてフォローアップアクションを決定することもできます。
2.特徴
1.コントローラーへの双方向通信によるデジタル信号処理；
2.構成可能な検出トリガー条件と3つの異なる操作モードのサポート。オープンフレーム監視結果の結果出力とADCフィルタリングされた火炎信号データ出力；
3.赤外線センサー用の2次バターワースバンドパスフィルター、他の周波数からの入力干渉のシールド
4.赤外線信号調整回路は、電磁シールドカバー内に完全にカプセル化されており、電力とデジタルのインターフェイスピンのみが露出しており、無線周波数干渉に並外れた抵抗を提供します；
5.システムの運用メカニズムは、電力効率のために深く最適化されているため、バッテリー駆動のデバイスに適しています。
6.電源電圧とオンチップ温度検出；
7.パワーアップ中にセルフチェック後の迅速な安定化で操作
8.免除やROHS認定を必要とせずに、ROHS環境要件を厳密に遵守する環境に優しいLitao₃センシング材料を活用します。
3.アプリケーション
1.さまざまなオープンフレームモニター。
2。火災検出器。
3。炎のセンシング機器のインターネット。
4。家、産業工場、工場の火災警報器。
4。パフォーマンスパラメーター
4.1 最大評価
下の表のパラメーターを超える電気ストレスは、デバイスに永久的な損傷を引き起こす可能性があります。最大定格条件を超えた動作は、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。
パラメーター |
シンボル |
分 |
マックス。 |
ユニット |
|
供給電圧 |
VDD |
-0.3 |
3.6 |
v |
25℃ |
ピン電圧 |
vnto |
-0.3 |
VDD ＋0.3 |
v |
25℃ |
ピン電流 |
の中へ |
-100 |
100 |
Ma |
シングルタイム、シングルピン |
保管温度 |
tst |
-30 |
70 |
℃ |
<60％RH |
動作温度 |
トーパー |
-20 |
55 |
℃ |
|
4.2 電気的特性（典型的なテスト条件：TAMB =+25℃、VDD =+3V）
パラメーター |
シンボル |
分 |
典型的な |
マックス。 |
ユニット |
注記 |
労働条件 |
動作電圧 |
VDD |
1.5 |
3 |
3.6 |
v |
|
現在の動作、vreg |
IDD1 |
|
5 |
6.0 |
µA |
この製品は適していません |
動作電流、VREGオフ |
idd |
|
3 |
3.5 |
µA |
この製品に適用できます VDD = 3V、負荷なし |
入力パラメーターセリン |
低電圧を入力します |
vil |
-0.3 |
|
0.2vdd |
v |
|
高電圧を入力します |
VIH |
0.8VDD |
|
0.3 + VDD |
v |
最大V <3.6V |
入力電流 |
ii |
-1 |
|
1 |
µA |
VSS |
デジタルクロック低レベルの時間 |
TL |
200 |
|
0.1/ fclk |
ns/µs |
典型：1-2µs |
デジタルクロック高レベルの時間 |
th |
200 |
|
0.1/ fclk |
ns/µs |
典型：1-2µs |
データビットライティング時間 |
TBW |
2/fclk -th |
|
3/fclk-- th |
µs |
典型：80-90µs |
タイムアウトを書きます |
TWA |
16/fclk |
|
17/fclk |
µs |
|
出力ピンint/doci-out |
低電圧を入力します |
vil |
-0.3 |
|
0.2vdd |
v |
|
高電圧を入力します |
VIH |
0.8VDD |
|
0.3 + VDD |
v |
最大V <3.6V |
入力電流 |
イディ |
-1 |
|
1 |
µA |
VSS |
データ読み取り可能なセットアップ時間 |
TDS |
4/fclk |
|
5/fclk |
µs |
|
データビットの準備時間 |
TBS |
|
|
1 |
µs |
クロード<10pf |
沈降時間を読むことを強制します |
TFR |
4/fclk |
|
|
µs |
|
クリア時間を中断します |
TCL |
4/fclk |
|
|
µs |
|
デジタルクロック低レベルの時間 |
TL |
200 |
|
0.1/ fclk |
ns/µs |
典型：1-2µs |
デジタルクロック高レベルの時間 |
th |
200 |
|
0.1/ fclk |
ns/µs |
典型：1-2µs |
ビットデータ読み取り時間 |
tbit |
|
|
24 |
µs |
典型：20-22µs |
読み取りタイムアウト |
トラ |
4/fclk |
|
|
µs |
|
Dociプルダウン期間 |
TDU |
32/fclk |
|
|
µs |
データの更新用 |
入力ピリン/npirin |
VSSからピリン/npirin 入力インピーダンス |
|
30 |
|
60 |
gΩ |
-60mv |
入力抵抗差の値 |
|
60 |
|
120 |
gΩ |
-60mv |
ピリン入力電圧範囲 |
|
-53 |
|
+53 |
MV |
|
解像度/ステップサイズ |
|
6 |
6.5 |
7 |
µV/count |
|
ADC出力範囲 |
|
511 |
|
2^14-511 |
カウント |
|
ADCバイアス |
|
7150 |
8130 |
9150 |
カウント |
|
ADC温度係数 |
|
-600 |
|
600 |
ppm/k |
|
ADC入力ノイズrms値f = 0.1Hz ... 10Hz |
|
|
39 |
91 |
µVpp |
F = 0.09 ... 7Hz |
電源電圧測定 |
ADC出力範囲 |
|
2^13 |
|
2^14-511 |
カウント |
|
電圧解像度 |
|
590 |
650 |
720 |
µV/count |
|
ADCバイアス @ 3V |
|
|
12600 |
|
カウント |
約±10％オフセット |
温度測定（単一点キャリブレーションが必要） |
解決 |
|
|
80 |
|
カウント/k |
|
ADC出力範囲 |
|
511 |
|
2^14-511 |
カウント |
|
バイアス値 @ 298K |
|
|
8130 |
|
カウント |
約±10％オフセット |
発振器とフィルター |
ローパスフィルターカットオフ周波数 |
|
fclk*1.41/2048/π |
Hz |
2番目の注文bw |
ハイパスフィルターカットオフ周波数 |
|
fclk*p*1.41/32768/π |
Hz |
2番目のbw p = 1または0.5 |
オンチップオシレーター周波数 |
fosci |
60 |
64 |
72 |
KHZ |
|
システムクロック |
fclk |
|
fosci/2 |
|
KHZ |
|
